商品名稱:NCD83591MNTXG
數(shù)據(jù)手冊:NCD83591MNTXG.PDF
品牌:ON
年份:23+
封裝:28-QFN
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
NCD83591MNTXG 是一款易于使用的多用途三相柵極驅(qū)動器,經(jīng)過優(yōu)化,具有較低的 BOM 成本。該器件具有寬工作電壓范圍,是 5 V(最低)至 60 V(最高)工業(yè)和商業(yè)應(yīng)用的理想之選。
特性
- 工作電壓為 5 V 至 60 V,容差為 4 V 至 70 V
- 功率 FET 的恒定電流驅(qū)動,可配置范圍為 5 mA 至 250 mA(通過 VDRV 引腳的輸入電平進行 16 種設(shè)置)
- 內(nèi)部產(chǎn)生的柵極驅(qū)動電源電壓
- 高壓側(cè)柵極和源輸出引腳可承受 -12 V 直流電壓
- 柵極傳感,用于交叉?zhèn)鲗?dǎo)保護和優(yōu)化死區(qū)時間
- 嵌入式高 GBW 通用放大器(用于電流檢測和外部配置)
- 嵌入式充電泵功能允許直流靜態(tài)驅(qū)動
- 強大的保持電流可防止自導(dǎo)通
- 在失去 VDD(核心)電源時將內(nèi)部柵極下拉至 GND
- VM、VGL 和 VGH-VM 欠壓鎖定,可選跳閘電平
- 兼容 5 V/3.3 V 6 輸入控制加使能
- 單獨的六柵極控制模式,帶獨立引腳,可覆蓋和驅(qū)動所有 6 個柵極輸出低電平
- 4 kV HBM 和 1 kV CDM ESD 保護
- 這是一款無鉛器件
應(yīng)用
- 電動工具
- 工業(yè)執(zhí)行器和 Cobot
- 自動導(dǎo)引機器人
- 輕型移動設(shè)備(電動自行車、電動滑板車、懸浮滑板)
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,美國納斯達克上市代號:ON)是應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商。公司的產(chǎn)品系列包括電源和信號管理、邏輯、分立及定制器件,幫助客戶解決他們在汽車、通信、計算機、消費電子、工業(yè)、LED照明、醫(yī)療、軍事/航空及電源應(yīng)用的獨…
UJ3C120040K3S
UJ3C120040K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅(qū)動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UJ3C120070K3S
UJ3C120070K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅(qū)動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UF3C120040K3S
UF3C120040K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅(qū)動特性可真正 “替代 ”硅 IGBT、硅 FET、硅 C MOSFET 或硅超級結(jié)器件。該器件采用 T0247-3 封裝,具有超…UF3C120040K4S
UF3C120040K4S 是高性能 F3 SiC 快速 JFET,采用級聯(lián)優(yōu)化 MOSFET,是目前市場上唯一的標準柵極驅(qū)動 SiC 器件。該器件采用 4 端子 T0247- 封裝,具有極快的開關(guān)速度和類似額定值器件中最佳的反向恢復(fù)特性。這些器件非常適合電感負載開關(guān)和任何需要標準柵極驅(qū)動的應(yīng)用。UF3…UJ3C065030B3
UJ3C065030B3 SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅(qū)動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 DPAK-3L…NVH4L050N170M1
NVH4L050N170M1:1700V、45A、53mohm、碳化硅 (SiC) N通道 MOSFET 晶體管,TO-247-4型號:NVH4L050N170M1封裝:TO-247-4類型:碳化硅(SiC)MOSFET 晶體管NVH4L050N170M1 規(guī)格參數(shù):FET 類型:N 通道技術(shù):SiC(碳化硅結(jié)晶體管)漏源電壓(Vdss):1700 V25C 時電流 - 連…電話咨詢:86-755-83294757
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