商品名稱:NCL30486B1DR2G
數(shù)據(jù)手冊:NCL30486B1DR2G.PDF
品牌:ON
年份:23+
封裝:9-SOIC
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:2000 件
NCL30486B1DR2G是一款功率因數(shù)校正反激式控制器,適用于隔離式恒流 LED 驅(qū)動器。該控制器以準(zhǔn)諧振模式工作,可提供高效率。由于采用了新穎的控制方法,該器件能夠從初級側(cè)嚴(yán)格調(diào)節(jié)恒定的 LED 電流。因此無需次級側(cè)反饋電路、偏置和光耦合器。
該器件高度集成,外部元件數(shù)量最少。為簡化設(shè)計,還內(nèi)置了一套強(qiáng)大的安全保護(hù)裝置。該器件專為非常緊湊的空間高效設(shè)計而設(shè)計,支持模擬和數(shù)字調(diào)光,具有兩個專用調(diào)光輸入控制,是智能 LED 照明應(yīng)用的理想之選。
特點
高電壓啟動
準(zhǔn)諧振峰值電流模式控制操作
初級側(cè)反饋
CC / CV 精確控制電壓,最高達(dá) 320 V rms
嚴(yán)格的 LED 恒定電流調(diào)節(jié),典型值為 ±2
數(shù)字功率因數(shù)校正
模擬和數(shù)字調(diào)光
調(diào)光待機(jī)模式(調(diào)光 CV 模式)
待機(jī)模式
逐周期峰值電流限制
寬工作 VCC 范圍
40 至 +125°C
強(qiáng)大的保護(hù)功能
斷電保護(hù)
VCC 上的 OVP
恒壓/LED 開路保護(hù)
繞組短路保護(hù)
次級二極管短路保護(hù)
輸出短路保護(hù)
熱關(guān)斷
線路過壓保護(hù)
典型應(yīng)用
整體式 LED 燈泡
LED 功率驅(qū)動器電源
LED 光引擎
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
ADI
MSOP16
20000
LED 驅(qū)動器 IC 1 輸出 DC DC 控制器 反激,SEPIC,降壓,升壓 模擬,PWM 調(diào)光 16-MSOP-EP
ON
SOIC-10
5000
用于 LED 照明的 LED 驅(qū)動器,AC-DC 功率因數(shù)校正的準(zhǔn)諧振初級側(cè)電流模式控制器,具有智能模擬/調(diào)光功能
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安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,美國納斯達(dá)克上市代號:ON)是應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商。公司的產(chǎn)品系列包括電源和信號管理、邏輯、分立及定制器件,幫助客戶解決他們在汽車、通信、計算機(jī)、消費(fèi)電子、工業(yè)、LED照明、醫(yī)療、軍事/航空及電源應(yīng)用的獨(dú)…
UJ3C120040K3S
UJ3C120040K3S SiC FET 器件基于獨(dú)特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UJ3C120070K3S
UJ3C120070K3S SiC FET 器件基于獨(dú)特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UF3C120040K3S
UF3C120040K3S SiC FET 器件基于獨(dú)特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動特性可真正 “替代 ”硅 IGBT、硅 FET、硅 C MOSFET 或硅超級結(jié)器件。該器件采用 T0247-3 封裝,具有超…UF3C120040K4S
UF3C120040K4S 是高性能 F3 SiC 快速 JFET,采用級聯(lián)優(yōu)化 MOSFET,是目前市場上唯一的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動 SiC 器件。該器件采用 4 端子 T0247- 封裝,具有極快的開關(guān)速度和類似額定值器件中最佳的反向恢復(fù)特性。這些器件非常適合電感負(fù)載開關(guān)和任何需要標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動的應(yīng)用。UF3…UJ3C065030B3
UJ3C065030B3 SiC FET 器件基于獨(dú)特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 DPAK-3L…NVH4L050N170M1
NVH4L050N170M1:1700V、45A、53mohm、碳化硅 (SiC) N通道 MOSFET 晶體管,TO-247-4型號:NVH4L050N170M1封裝:TO-247-4類型:碳化硅(SiC)MOSFET 晶體管NVH4L050N170M1 規(guī)格參數(shù):FET 類型:N 通道技術(shù):SiC(碳化硅結(jié)晶體管)漏源電壓(Vdss):1700 V25C 時電流 - 連…電話咨詢:86-755-83294757
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