商品名稱：FAN53730UCX
數(shù)據(jù)手冊：
FAN53730UCX.PDF
品牌：ON
年份：23+
封裝：12-XFBGA
貨期：全新原裝
庫存數(shù)量：1000 件
安森美半導體FAN53730UCX數(shù)字可編程恒定導通時間 (COT) 降壓轉換器支持最小3A負載電流。由于采用變頻運行，COT拓撲結構可提供快速瞬態(tài)恢復和和相對于負載的最佳效率。穩(wěn)壓器具有自動DCM/CCM模式操作（帶強制CCM控制），并可提供I2C或邏輯控制。
特性
● 2.3V到5.5V的輸入電壓范圍
● 輸出電壓
● 從 0.3V 到 2V 可編程
● 引腳可選默認值
● 低靜態(tài)電流：12μA
● 內(nèi)部軟啟動可限制接通期間的輸入電流
● 連續(xù)導通工作模式下的開關頻率為2.5MHz
● 1.2V和1.8V邏輯兼容
● 故障保護（輸入欠壓、短路、過流和過熱保護）
● 電源良好 (PG) 輸出
● 強制連續(xù)導通模式 (FCCM)
● 音頻降低模式消除了開關引起的可聽到的聲音信號
● 完全可編程I2C版本
● 邏輯控制固定輸出電壓版本
● 環(huán)境溫度范圍：-40°C至+85°C
● 1.07mm x 1.36mm、0.35mm腳距、12焊球WLCSP封裝
● 無鉛
應用
● LPDDR存儲器
● 移動和智能設備
● 射頻模塊
● 應用、圖形和DSP處理器
● ISP電源
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
Maxim
TDFN-12
2000
降壓 開關穩(wěn)壓器 IC 正 可調(diào)（固定） 1V（3.3V） 1 輸出 600mA 12-WFDFN 裸露焊盤
Maxim
TDFN-12
1000
降壓 開關穩(wěn)壓器 IC 正 可調(diào)（固定） 3V（3.6V） 1 輸出 600mA 12-WFDFN 裸露焊盤
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安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ON)是應用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應商。公司的產(chǎn)品系列包括電源和信號管理、邏輯、分立及定制器件，幫助客戶解決他們在汽車、通信、計算機、消費電子、工業(yè)、LED照明、醫(yī)療、軍事/航空及電源應用的獨…
UJ3C120040K3S
UJ3C120040K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置，其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝，從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅(qū)動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…
UJ3C120070K3S
UJ3C120070K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置，其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝，從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅(qū)動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…
UF3C120040K3S
UF3C120040K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置，其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝，從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅(qū)動特性可真正 “替代 ”硅 IGBT、硅 FET、硅 C MOSFET 或硅超級結器件。該器件采用 T0247-3 封裝，具有超…
UF3C120040K4S
UF3C120040K4S 是高性能 F3 SiC 快速 JFET，采用級聯(lián)優(yōu)化 MOSFET，是目前市場上唯一的標準柵極驅(qū)動 SiC 器件。該器件采用 4 端子 T0247- 封裝，具有極快的開關速度和類似額定值器件中最佳的反向恢復特性。這些器件非常適合電感負載開關和任何需要標準柵極驅(qū)動的應用。UF3…
UJ3C065030B3
UJ3C065030B3 SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置，其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝，從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅(qū)動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超結器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 DPAK-3L…
NVH4L050N170M1
NVH4L050N170M1：1700V、45A、53mohm、碳化硅 (SiC) N通道 MOSFET 晶體管，TO-247-4型號：NVH4L050N170M1封裝：TO-247-4類型：碳化硅（SiC）MOSFET 晶體管NVH4L050N170M1 規(guī)格參數(shù)：FET 類型：N 通道技術：SiC（碳化硅結晶體管）漏源電壓（Vdss）：1700 V25C 時電流 - 連…電話咨詢：86-755-83294757
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