商品名稱:NCP189CMTW330TAG
數(shù)據(jù)手冊:NCP189CMTW330TAG.PDF
品牌:ON
年份:23+
封裝:6-WDFN
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
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NCP189CMTW330TAG低噪聲低壓差 (LDO) 線性穩(wěn)壓器是500mA器件,具有下一代高PSRR和電源良好開路集電極輸出。穩(wěn)壓器設(shè)計(jì)用于滿足射頻和敏感模擬電路的要求,具有低噪聲和低靜態(tài)電流,同時(shí)允許低至0.6V的輸出電壓。該器件還具有出色的負(fù)載/線路瞬態(tài)。低噪聲低壓差 (LDO) 線性穩(wěn)壓器設(shè)計(jì)用于與4.7μF輸入/輸出陶瓷電容器搭配使用。
特性
● 1.6V 到 5.5V 的工作輸入電壓范圍
● 0.6V至5.0V固定電壓選項(xiàng)
● 0.6V可調(diào)版本參考電壓
● 初始精度:±0.7%(+25°C時(shí))
● 低靜態(tài)電流:35μA(典型值)
● 關(guān)斷電流:0.1μA(典型值)
● 極低壓差:65mV(典型值,500mA時(shí),3.3V型號(hào))
● 高PSRR:85dB(100mA、f = 1kHz時(shí)的典型值)
● 低噪聲:10μVRMS(固定版本)
● 可通過小型4.7μF陶瓷電容器穩(wěn)定工作
● 受控輸出電壓轉(zhuǎn)換率:5mV/μs
● 采用WDFNW6 2mm x 2mm x 0.75mm封裝,功率為511DW
● 濕度靈敏性等級(jí) (MSL) 1級(jí)
● 無鉛、無鹵/無BFR,符合RoHS指令
應(yīng)用
● 通信系統(tǒng)
● 車載網(wǎng)絡(luò)
● 遠(yuǎn)程信息處理、信息娛樂和儀表板
● 通用汽車
型號(hào)
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封裝
數(shù)量
描述
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安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,美國納斯達(dá)克上市代號(hào):ON)是應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商。公司的產(chǎn)品系列包括電源和信號(hào)管理、邏輯、分立及定制器件,幫助客戶解決他們在汽車、通信、計(jì)算機(jī)、消費(fèi)電子、工業(yè)、LED照明、醫(yī)療、軍事/航空及電源應(yīng)用的獨(dú)…
UJ3C120040K3S
UJ3C120040K3S SiC FET 器件基于獨(dú)特的 “級(jí)聯(lián) ”電路配置,其中一個(gè)常開 SiC JFET 與一個(gè) Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個(gè)常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級(jí)結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UJ3C120070K3S
UJ3C120070K3S SiC FET 器件基于獨(dú)特的 “級(jí)聯(lián) ”電路配置,其中一個(gè)常開 SiC JFET 與一個(gè) Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個(gè)常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級(jí)結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UF3C120040K3S
UF3C120040K3S SiC FET 器件基于獨(dú)特的 “級(jí)聯(lián) ”電路配置,其中一個(gè)常開 SiC JFET 與一個(gè) Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個(gè)常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)特性可真正 “替代 ”硅 IGBT、硅 FET、硅 C MOSFET 或硅超級(jí)結(jié)器件。該器件采用 T0247-3 封裝,具有超…UF3C120040K4S
UF3C120040K4S 是高性能 F3 SiC 快速 JFET,采用級(jí)聯(lián)優(yōu)化 MOSFET,是目前市場上唯一的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng) SiC 器件。該器件采用 4 端子 T0247- 封裝,具有極快的開關(guān)速度和類似額定值器件中最佳的反向恢復(fù)特性。這些器件非常適合電感負(fù)載開關(guān)和任何需要標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)的應(yīng)用。UF3…UJ3C065030B3
UJ3C065030B3 SiC FET 器件基于獨(dú)特的 “級(jí)聯(lián) ”電路配置,其中一個(gè)常開 SiC JFET 與一個(gè) Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個(gè)常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 DPAK-3L…NVH4L050N170M1
NVH4L050N170M1:1700V、45A、53mohm、碳化硅 (SiC) N通道 MOSFET 晶體管,TO-247-4型號(hào):NVH4L050N170M1封裝:TO-247-4類型:碳化硅(SiC)MOSFET 晶體管NVH4L050N170M1 規(guī)格參數(shù):FET 類型:N 通道技術(shù):SiC(碳化硅結(jié)晶體管)漏源電壓(Vdss):1700 V25C 時(shí)電流 - 連…電話咨詢:86-755-83294757
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