商品名稱：SiC MOSFET 模塊
品牌：IXYS
年份：24+
封裝：9-SMPD-B
貨期：全新原裝
庫存數(shù)量：2000 件
MCB20P1200LB-TUR 是 N 溝道 1200V SiC MOSFET 模塊。
規(guī)格
產(chǎn)品： 功率 MOSFET 模塊
類型： 半橋模塊 半橋模塊
技術(shù)： SiC 碳化硅
Vgs - 柵極源極電壓：- 20 V，+ 20 V
最低工作溫度：- 40 C
最高工作溫度 + 150 C
單位重量：8 克
特點(diǎn)
高速開關(guān)，低電容
阻斷電壓高，RDS（導(dǎo)通）低
易于并聯(lián)，驅(qū)動(dòng)簡(jiǎn)單
抗閂鎖
真正的開爾文源連接
應(yīng)用
太陽能逆變器
高壓 DC/DC 轉(zhuǎn)換器
電機(jī)驅(qū)動(dòng)器
開關(guān)模式電源
不間斷電源
電池充電器
感應(yīng)加熱
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
Microchip
Module
1000
1200V、HPD、三相橋 + 驅(qū)動(dòng)全選項(xiàng)混合動(dòng)力驅(qū)動(dòng) mSiC? MOSFET 模塊
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IXYS（中文名： 艾賽斯）總部位于美國(guó)硅谷，1983年成立，主營(yíng)：MOSFET、IGBT、 Thyristor、SCR、整流橋、二極管、DCB塊、功率模塊、Hybrid、晶體管、逆變器、射頻模塊和單片機(jī)等。業(yè)務(wù)分布于消費(fèi)、汽車、醫(yī)療、電信、工業(yè)和能源領(lǐng)域，產(chǎn)品技術(shù)特點(diǎn)為高壓、高功率，涵蓋了…
DSI45-16A
DSI45-16A是一款高性能肖特基二極管，采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)，具有低正向壓降、高開關(guān)速度和低反向漏電流等特點(diǎn)，適用于各種高頻、高效率的電源應(yīng)用。
IXTP160N10T
IXTP160N10T描述：IXYS Gen1 溝槽柵功率 MOSFET 非常適合低電壓/高電流應(yīng)用，需要極低的 RDS(ON)，從而實(shí)現(xiàn)極低的功率耗散。此外，它們的工作結(jié)溫范圍很寬，從 -40C 到 175C，因此非常適合汽車應(yīng)用和其他類似的嚴(yán)苛環(huán)境應(yīng)用。IXTP160N10T產(chǎn)品屬性：制造商: IXYS 產(chǎn)品種類…
IXFN50N120SIC
IXFN50N120SIC 是一款 N 溝道 1200V 47A SiC MOSFET 模塊。規(guī)格類型： HiperFET HiperFET 技術(shù)： SiC 碳化硅 Vgs - 柵極源極電壓：- 20 V，+ 20 V 安裝方式：螺釘安裝 螺釘安裝 封裝/外殼：SOT-227-4 最低工作溫度：- 55 C 最高工作溫度 + 155 C 配置 單通道 下降時(shí)間：1…
IXYH8N250CHV
IXYH8N250CHV是一款2500 V 29 A高壓系列IGBT，器件采用專有的XPT?薄晶圓技術(shù)和最先進(jìn)的IGBT工藝研發(fā)，具有低熱阻、低尾電流、低能量損耗和快速切換等特點(diǎn)。憑借通態(tài)電壓的正溫度系數(shù)，這些高壓IGBT可用于并聯(lián)，相比串聯(lián)低電壓器件更加經(jīng)濟(jì)高效。 因此，這可減少相關(guān)的柵…
IXGX320N60B3
IXGX320N60B3是一款600 V 500 A中頻IGBT，器件采用HDMOS IGBT工藝進(jìn)行PT（打穿）生產(chǎn)。600V GenX3?針對(duì)高電流應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化，這類應(yīng)用需要高達(dá)200 kHz的軟開關(guān)頻率和40 kHz的硬開關(guān)頻率。 這些器件采用了我們久經(jīng)考驗(yàn)的打穿（PT）技術(shù)，該技術(shù)可提高浪涌電流性能、降低…
IXBK55N300
IXBK55N300 是一款3 kV 130 A超高電壓系列IGBT，采用TO-264-3封裝。BiMOSFET兼具M(jìn)OSFET和IGBT的優(yōu)勢(shì)。 憑借非外延結(jié)構(gòu)和新的制造工藝，BiMOSFET大獲成功。這種高壓器件是并聯(lián)的理想選擇，因?yàn)轱柡碗妷汉捅菊鞫O管的正向壓降均具有正電壓溫度系數(shù)。功能與特色:“自由”本…電話咨詢：86-755-83294757
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