STM32F103RDT6 是一款高性能的 32 位微控制器,基于 ARM Cortex-M3 內(nèi)核,Arm Cortex?-M3 處理器是用于嵌入式系統(tǒng)的最新一代 Arm 處理器。它的開(kāi)發(fā)目的是提供一個(gè)低成本平臺(tái),滿足 MCU 實(shí)施的需要,減少引腳數(shù),降低功耗,同時(shí)提供出色的計(jì)算性能和先進(jìn)的系統(tǒng)中斷響應(yīng)。
Arm Cortex?-M3 32 位 RISC 處理器具有卓越的代碼效率,在通常與 8 位和 16 位器件相關(guān)的內(nèi)存大小內(nèi)提供 Arm 內(nèi)核應(yīng)有的高性能。
產(chǎn)品屬性
產(chǎn)品種類:ARM微控制器 - MCU
系列: STM32F103RD
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: LQFP-64
核心: ARM Cortex M3
程序存儲(chǔ)器大小: 384 kB
數(shù)據(jù)總線寬度: 32 bit
ADC分辨率: 12 bit
最大時(shí)鐘頻率: 72 MHz
輸入/輸出端數(shù)量: 51 I/O
數(shù)據(jù) RAM 大小: 64 kB
電源電壓-最小: 2 V
電源電壓-最大: 3.6 V
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 85 C
數(shù)據(jù) Ram 類型: SRAM
高度: 1.4 mm
接口類型: CAN, I2C, SPI, USART
長(zhǎng)度: 10 mm
濕度敏感性: Yes
ADC通道數(shù)量: 16 Channel
計(jì)時(shí)器/計(jì)數(shù)器數(shù)量: 8 Timer
處理器系列: ARM Cortex M
程序存儲(chǔ)器類型: Flash
商標(biāo)名: STM32
寬度: 10 mm
單位重量:342.700 mg
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
ST
UFQFPN-32
15000
ARM 微控制器 - MCU 主流混合信號(hào) MCU Arm Cortex-M4 內(nèi)核 DSP 和 FPU,64 KB 閃存
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意法半導(dǎo)體(ST)集團(tuán)于1987年成立,是由意大利的SGS微電子公司和法國(guó)Thomson半導(dǎo)體公司合并而成。1998年5月,SGS-THOMSON Microelectronics將公司名稱改為意法半導(dǎo)體有限公司。意法半導(dǎo)體是世界最大的半導(dǎo)體公司之一。公司2019年全年凈營(yíng)收95.6億美元; 毛利率38.7%;營(yíng)業(yè)…
STM32F103CBT6
STM32F103CBT6是主流微控制器可滿足工業(yè)、醫(yī)療和消費(fèi)者市場(chǎng)中的各種應(yīng)用需求。STM32G030C8T6TR
STM32G030C8T6TR 32位微控制器 (MCU) 適合用于消費(fèi)、工業(yè)和家電領(lǐng)域的應(yīng)用,并可隨時(shí)用于物聯(lián)網(wǎng) (IoT) 解決方案。STM32G030K8T6TR
STM32G030K8T6TR主流微控制器基于工作頻率可達(dá)64 MHz的高性能Arm Cortex-M0+ 32位RISC內(nèi)核。SCT025H120G3-7
SCT025H120G3-7器件是一款1200 V 碳化硅功率MOSFET,采用(ST)先進(jìn)的SiC MOSFET技術(shù)開(kāi)發(fā)而成。SCT025H120G3-7具有極低的RDS(on)、低電容和極高的開(kāi)關(guān)操作性能,適用于高頻、高效、系統(tǒng)尺寸和重量減輕的應(yīng)用場(chǎng)景??。技術(shù)規(guī)格產(chǎn)品:SCT025H120G3-7封裝 / 箱體:H2PAK-7晶…SCT016H120G3AG
SCT016H120G3AG器件是一款1200 V 汽車(chē)級(jí)碳化硅功率 MOSFET 晶體管,采用ST先進(jìn)的第三代SiC MOSFET技術(shù)開(kāi)發(fā)而成,具有高開(kāi)關(guān)速度和堅(jiān)固的內(nèi)建體二極管,適用于高頻應(yīng)用。此外,SCT016H120G3AG符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn),適用于汽車(chē)電子領(lǐng)域。技術(shù)參數(shù)產(chǎn)品:SCT016H120G3AG封裝 / 箱…SCT012W90G3-4AG
SCT012W90G3-4AG器件是一款汽車(chē)級(jí)碳化硅功率MOSFET,采用ST先進(jìn)的第三代碳化硅MOSFET技術(shù)。該器件在整個(gè)溫度范圍內(nèi)具有極低的 RDS(on) 以及低電容和非常高的開(kāi)關(guān)作,從而提高了應(yīng)用在頻率、能效、系統(tǒng)尺寸和減重方面的性能。技術(shù)參數(shù)產(chǎn)品:SCT012W90G3-4AG封裝 / 箱體:…電話咨詢:86-755-83294757
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