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全球存儲芯片市場正迎來新一輪漲價(jià)潮。繼閃迪宣布4月起價(jià)格上漲10%后，美光、三星電子、SK海力士、長江存儲等主要存儲芯片制造商也計(jì)劃從4月起上調(diào)價(jià)格。這一波漲價(jià)潮的背后，是存儲主要制造商的減產(chǎn)、“黑天鵝事件”以及AI需求端的強(qiáng)勁增長共同作用的結(jié)果。

供應(yīng)趨緊推動價(jià)格上漲

自2024年第四季度以來，三星、SK海力士、美光、西部數(shù)據(jù)和鎧俠等五大NAND原廠紛紛采取減產(chǎn)措施，以應(yīng)對市場供過于求的局面。減產(chǎn)效應(yīng)在2025年第一季度開始顯現(xiàn)，供應(yīng)趨緊成為推動價(jià)格上漲的主要因素之一。

此外，美光新加坡NAND工廠在1月發(fā)生停電事故，導(dǎo)致生產(chǎn)中斷，進(jìn)一步加劇了供應(yīng)短缺。盡管美光尚未公開回應(yīng)此事，但其在3月初宣布新訂單平均價(jià)格上漲11%，顯示出供應(yīng)緊張的影響。群聯(lián)電子董事長潘健成透露，盡管2024年12月已下單，但美光近期出現(xiàn)交付短缺，導(dǎo)致部分訂單延遲交付。

三星和SK海力士也計(jì)劃從4月起提高價(jià)格，以應(yīng)對市場趨勢。這兩家公司已大幅減產(chǎn)，導(dǎo)致第一季度產(chǎn)量較2024年底下降超過10%。三星3月的交付量僅為原訂單的20%~25%，而SK海力士等廠商也面臨類似的情況。這種供應(yīng)的緊張局面，直接為價(jià)格上漲提供了有力支撐。預(yù)計(jì)4月后恢復(fù)正常交付，NAND價(jià)格預(yù)計(jì)將上漲約10%或更多。

國內(nèi)存儲芯片公司也開始跟漲。上周五，有渠道反饋長江存儲零售品牌致態(tài)也將于4月起面向渠道上調(diào)提貨價(jià)格，幅度或?qū)⒊^10%。業(yè)內(nèi)人士指出，今年存儲芯片市場的漲價(jià)主要集中在3D NAND領(lǐng)域，海外原廠和長江存儲是主要受益者。國內(nèi)2D NAND市場由于技術(shù)成熟和供應(yīng)充足，價(jià)格保持平穩(wěn)。

CFM閃存市場指出，隨著原廠控貨漲價(jià)令多數(shù)資源緊俏，渠道廠商普遍跟隨原廠步調(diào)進(jìn)一步調(diào)漲，其中，渠道SATA SSD漲勢最為強(qiáng)勁，在漲價(jià)氣氛烘托下，買漲情緒升溫，現(xiàn)貨詢單量大增，部分產(chǎn)品出現(xiàn)恐慌性備貨需求。整體來看，渠道客戶多以適當(dāng)備貨為主，但也因漲價(jià)幅度較高令部分客戶陷入“欲購還休”的困境。另外，由于部分資源缺貨，而渠道廠商交貨期普遍在4月和5月，若后續(xù)原廠仍繼續(xù)控制貨源，部分渠道廠商恐面臨難以保證交付的風(fēng)險(xiǎn)。

值得注意的是，隨著資源端持續(xù)漲價(jià)，令渠道部分成品面臨倒掛加劇的壓力，從而使得部分渠道存儲價(jià)格快速推高。

受部分料號停產(chǎn)影響，部分資源供應(yīng)緊張且漲價(jià)飛速，令MLC NAND等小容量eMMC成品價(jià)格快速攀升，而從成交量來看，部分終端客戶已然接受價(jià)格上漲，并且正在陸續(xù)完成交易。與此同時(shí)，大容量eMMC、UFS 2.2以及LPDDR4X等也均因成本上升而全面調(diào)漲。

有業(yè)內(nèi)人士指出，與2024年底相比，目前現(xiàn)貨市場中部分eMMC 32GB產(chǎn)品的價(jià)格已上漲超30%，預(yù)計(jì)到4月份漲幅或?qū)⑦M(jìn)一步擴(kuò)大至50%。

需求回升、供應(yīng)趨緊，存儲行業(yè)整體大幅供過于求的現(xiàn)狀正在發(fā)生改善?！澳壳艾F(xiàn)貨市場上已經(jīng)有了止跌的明顯信號”，CFM閃存市場總經(jīng)理邰煒表示，“我們預(yù)計(jì)在Q2季度，尤其部分NAND產(chǎn)品價(jià)格將率先開始企穩(wěn)，Q3將有機(jī)會迎來整體的回升?！?/span>

群聯(lián)CEO潘健成預(yù)言，2025年第一季度為NAND報(bào)價(jià)全年低點(diǎn)，下半年供需緊張將推動價(jià)格“逐季跳漲”。TrendForce預(yù)計(jì)，NAND Flash價(jià)格年內(nèi)累計(jì)漲幅可能突破50%，DRAM價(jià)格亦將進(jìn)入“階梯式上升通道”。

AI推動存儲需求爆發(fā)

除了原廠控產(chǎn)之外，AI需求旺盛也是推動NAND Flash漲價(jià)的原因之一。

隨著AI技術(shù)的迅猛發(fā)展，算力的爆發(fā)式增長正在推動存儲需求的快速提升，大容量存儲時(shí)代已提前到來。從AI手機(jī)、AI PC到AI服務(wù)器，存儲容量的需求正呈現(xiàn)指數(shù)級增長，QLC閃存技術(shù)、高帶寬內(nèi)存（HBM）等先進(jìn)存儲技術(shù)迅速成為市場焦點(diǎn)。

從應(yīng)用上來看，服務(wù)器市場已成為存儲需求發(fā)展的核心驅(qū)動力。2024年，服務(wù)器NAND的容量暴增了108%，而服務(wù)器DRAM和HBM分別增長了24%和311%。根據(jù)CFM閃存市場數(shù)據(jù)，2025年服務(wù)器整機(jī)臺數(shù)將繼續(xù)增長至1330萬臺，其中AI服務(wù)器占比將達(dá)到14%，進(jìn)一步推高服務(wù)器的存儲配置。

AI技術(shù)的普及使得AI手機(jī)、AI PC等終端設(shè)備對存儲容量的需求大幅提升。例如，AI手機(jī)的平均DRAM容量從8GB增至12-16GB，AI PC的DRAM容量則從12GB躍升至16-64GB。與此同時(shí)，AI耳機(jī)等可穿戴設(shè)備的NOR閃存容量也從64-128Mb提升至256Mb。

美光預(yù)計(jì)，2025年43%的PC將具備AI能力，到2028年這一比例將上升至64%。未來的AI PC將需要比當(dāng)前PC多80%的內(nèi)存容量。智能手機(jī)作為人們連接數(shù)字世界的門戶，具備AI功能后將推動更大的市場增長。機(jī)構(gòu)預(yù)測2025年AI手機(jī)市場同比增長73.1%，旗艦機(jī)中搭載的LPDDR5X內(nèi)存容量同比增長50-100%。

業(yè)內(nèi)人士表示，“企業(yè)級應(yīng)用中32TB SSD已大規(guī)模量產(chǎn)，64TB和128TB需求也在增加。AI手機(jī)和AI PC的普及將進(jìn)一步推動終端產(chǎn)品的存儲容量配置，極大消耗存儲產(chǎn)能。此外，智能汽車、物聯(lián)網(wǎng)等新興領(lǐng)域?qū)?shù)據(jù)存儲的需求也在增加，AI PC、智能汽車等搭載AI功能的設(shè)備成為存儲芯片需求增長的新引擎。”

隨著AI技術(shù)的普及和算力的提升，存儲需求正經(jīng)歷前所未有的增長。服務(wù)器、AI手機(jī)、AI PC、智能汽車等領(lǐng)域的快速發(fā)展，推動了大容量存儲技術(shù)的創(chuàng)新和應(yīng)用。存儲廠商紛紛加速布局，推出高性能、大容量的存儲解決方案，以滿足未來AI時(shí)代的數(shù)據(jù)存儲需求。