明佳達電子有限公司現(xiàn)供應A2T21H410-24SR6射頻金屬氧化物半導體場效應晶體管(RF MOSFET)。產(chǎn)品描述A2T21H410-24SR6是一款 72W 非對稱 Doherty 射頻功率 LDMOS 晶體管，工作頻率范圍為 2110 至 2170MHz，專為蜂窩基站應用設計。它采用先進的高性能內(nèi)部封裝 Doherty 技術，…
明佳達電子有限公司現(xiàn)供應A2T21H410-24SR6射頻金屬氧化物半導體場效應晶體管(RF MOSFET)。
產(chǎn)品描述
A2T21H410-24SR6是一款 72W 非對稱 Doherty 射頻功率 LDMOS 晶體管，工作頻率范圍為 2110 至 2170MHz，專為蜂窩基站應用設計。它采用先進的高性能內(nèi)部封裝 Doherty 技術，增大負柵源電壓范圍，能改善 C 類放大器運行，且符合 RoHS 規(guī)范。
核心特性
1. 高頻性能優(yōu)異
工作頻率范圍：1MHz-2500MHz
輸出功率：21W（典型值@28V, 175MHz）
功率增益：19dB（典型值）
效率：70%（典型值）
2. 電氣特性卓越
漏源電壓(VDS)：65V
柵源電壓(VGS)：±20V
連續(xù)漏極電流(ID)：4A
脈沖漏極電流(IDM)：16A
3. 熱性能可靠
結殼熱阻：2.4°C/W
工作結溫范圍：-55°C至+150°C
采用TO-247封裝，散熱性能優(yōu)異
4. 應用適配性強
輸入/輸出阻抗匹配簡便
內(nèi)部集成ESD保護二極管
線性度優(yōu)異，適合數(shù)字調制系統(tǒng)
技術規(guī)格
類型：N溝道增強型RF MOSFET
漏源擊穿電壓(BVDSS)：65V
柵源閾值電壓(VGS(th))：2.0-4.0V
導通電阻(RDS(on))：0.24Ω (最大值@VGS=10V)
輸入電容(Ciss)：180pF (典型值)
輸出電容(Coss)：45pF (典型值)
反向傳輸電容(Crss)：5pF (典型值)
封裝形式：TO-247
符合標準：RoHS、REACH
應用場景
A2T21H410-24SR6主要應用于移動通信基站，適用于 2110 至 2170MHz 頻率范圍內(nèi)的蜂窩通信系統(tǒng)，能夠為基站提供高功率、高效率的射頻信號放大，滿足日益增長的移動通信需求。
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