商品名稱:N 溝道 MOSFET
品牌:ST
年份:25+
封裝:TO-247
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:8000 件
這款STW40N95K5超高電壓 N 溝道功率 MOSFET 采用基于創(chuàng)新型專有垂直結(jié)構(gòu)的 MDmesh? K5 技術(shù)設(shè)計(jì)而成。其結(jié)果是大幅降低了導(dǎo)通電阻和超低柵極電荷,適用于要求超高功率密度和高效率的應(yīng)用。
STW40N95K5 功能
業(yè)界最低的 RDS(on) x 面積
業(yè)界最佳性能系數(shù) (FoM)
超低柵極電荷
100% 雪崩測(cè)試
齊納保護(hù)
STW40N95K5 產(chǎn)品屬性
產(chǎn)品種類: MOSFET
封裝 / 箱體: TO-247-3
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 950 V
Id-連續(xù)漏極電流: 38 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 110 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 30 V, + 30 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 3 V
Qg-柵極電荷: 93 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 450 W
通道模式: Enhancement
商標(biāo)名: MDmesh
配置: Single
下降時(shí)間: 10 ns
上升時(shí)間: 51 ns
STW40N95K5 應(yīng)用
開(kāi)關(guān)應(yīng)用
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
ST
PowerFLAT? 5x6
15000
汽車級(jí)N溝道80 V、3.15 mOhm典型值、130 A STripFET F7功率MOSFET,PowerFLAT 5x6封裝
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意法半導(dǎo)體(ST)集團(tuán)于1987年成立,是由意大利的SGS微電子公司和法國(guó)Thomson半導(dǎo)體公司合并而成。1998年5月,SGS-THOMSON Microelectronics將公司名稱改為意法半導(dǎo)體有限公司。意法半導(dǎo)體是世界最大的半導(dǎo)體公司之一。公司2019年全年凈營(yíng)收95.6億美元; 毛利率38.7%;營(yíng)業(yè)…
STM32L151V8T6A
STM32L151V8T6A超低功率微控制器是基于 ARM Cortex-M3 的 STM32,采用 ST 專有的超低漏電工藝技術(shù),具有創(chuàng)新的自主動(dòng)態(tài)電壓調(diào)節(jié)功能和 5 個(gè)低功率模式,提供了前所未有的平臺(tái)靈活性,適用于任何應(yīng)用。VND5E025AKTR-E
VND5E025AKTR-E是一款雙通道高壓側(cè)驅(qū)動(dòng)器,采用意法半導(dǎo)體專有的 VIPower M0-5 技術(shù)制造,采用微型 PowerSSO-24 封裝。STL135N8F7AG
這款STL135N8F7AG N 溝道功率 MOSFET 采用 STripFET? F7 技術(shù),具有增強(qiáng)型溝槽柵極結(jié)構(gòu),導(dǎo)通電阻極低,同時(shí)還能降低內(nèi)部電容和柵極電荷,從而實(shí)現(xiàn)更快、更高效的開(kāi)關(guān)。VN7010AJTR
VN7010AJTR器件是一款單通道高壓側(cè)驅(qū)動(dòng)器,采用意法半導(dǎo)體專有的 VIPower M0-7 技術(shù)制造,采用 PowerSSO-16 封裝。STTH30RQ06GY
STTH30RQ06GY專為需要高壓次級(jí)整流的 LLC 全橋拓?fù)鋺?yīng)用而開(kāi)發(fā)。L6201PSTR
L6201PSTR是一款用于電機(jī)控制應(yīng)用的全橋驅(qū)動(dòng)器,采用 Multipower-BCD 技術(shù),在同一芯片上結(jié)合了隔離 DMOS 功率晶體管、CMOS 和雙極電路。通過(guò)使用混合技術(shù),可以優(yōu)化邏輯電路和功率級(jí),從而實(shí)現(xiàn)最佳性能。DMOS 輸出晶體管可在高達(dá) 42V 的電源電壓下工作,并能以較高的開(kāi)關(guān)…電話咨詢:86-755-83294757
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