STTH30RQ06GY專為需要高壓次級整流的 LLC 全橋拓?fù)鋺?yīng)用而開發(fā)。它還適用于開關(guān)電源、汽車應(yīng)用、工業(yè)應(yīng)用,可用作整流、續(xù)流和箝位二極管。
特性—STTH30RQ06GY
通過 AEC-Q101 認(rèn)證
高結(jié)溫能力
超快軟恢復(fù)特性
低反向電流
低熱阻
降低開關(guān)和傳導(dǎo)損耗
支持 PPAP
D2PAK HV 爬電距離(陽極到陰極)= 5.38 mm 最小值(帶頂部涂層)
VRRM 保證溫度范圍為 -40 °C 至 175 °C
符合 ECOPACK?2 標(biāo)準(zhǔn)(DO-247、TO-220AC)
技術(shù)規(guī)格—STTH30RQ06GY
技術(shù): 標(biāo)準(zhǔn)
電壓 - DC 反向 (Vr)(最大值): 600 V
電流 - 平均整流 (Io) :30A
不同 If 時電壓 - 正向 (Vf) :2.95 V @ 30 A
速度: 快速恢復(fù) =< 500ns,> 200mA(Io)
反向恢復(fù)時間 (trr): 55 ns
不同 Vr 時電流 - 反向泄漏: 40 μA @ 600 V
等級: 汽車級
資質(zhì): AEC-Q101
安裝類型: 表面貼裝型
封裝/外殼: TO-263-3,D2PAK(2 引線 + 凸片),TO-263AB
供應(yīng)商器件封裝: D2PAK
工作溫度 - 結(jié): -40°C ~ 175°C
應(yīng)用—STTH30RQ06GY
輸出整流
PFC
不間斷電源
空調(diào)
充電站
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
答:所有上架的在線商品均可在線即可下單,但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大,目前還無法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常,您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應(yīng)的 解決方案。
答:我們的自營商品均采自合作的國內(nèi)外原廠或授權(quán)代理商,來源均可追溯,確保原裝正品。
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答:可以通過網(wǎng)站上詢價,也可以通過電話以及郵箱咨詢。
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答:可以為個人用戶開具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。
意法半導(dǎo)體(ST)集團于1987年成立,是由意大利的SGS微電子公司和法國Thomson半導(dǎo)體公司合并而成。1998年5月,SGS-THOMSON Microelectronics將公司名稱改為意法半導(dǎo)體有限公司。意法半導(dǎo)體是世界最大的半導(dǎo)體公司之一。公司2019年全年凈營收95.6億美元; 毛利率38.7%;營業(yè)…
STM32L151V8T6A
STM32L151V8T6A超低功率微控制器是基于 ARM Cortex-M3 的 STM32,采用 ST 專有的超低漏電工藝技術(shù),具有創(chuàng)新的自主動態(tài)電壓調(diào)節(jié)功能和 5 個低功率模式,提供了前所未有的平臺靈活性,適用于任何應(yīng)用。VND5E025AKTR-E
VND5E025AKTR-E是一款雙通道高壓側(cè)驅(qū)動器,采用意法半導(dǎo)體專有的 VIPower M0-5 技術(shù)制造,采用微型 PowerSSO-24 封裝。STL135N8F7AG
這款STL135N8F7AG N 溝道功率 MOSFET 采用 STripFET? F7 技術(shù),具有增強型溝槽柵極結(jié)構(gòu),導(dǎo)通電阻極低,同時還能降低內(nèi)部電容和柵極電荷,從而實現(xiàn)更快、更高效的開關(guān)。VN7010AJTR
VN7010AJTR器件是一款單通道高壓側(cè)驅(qū)動器,采用意法半導(dǎo)體專有的 VIPower M0-7 技術(shù)制造,采用 PowerSSO-16 封裝。STW40N95K5
這款STW40N95K5超高電壓 N 溝道功率 MOSFET 采用基于創(chuàng)新型專有垂直結(jié)構(gòu)的 MDmesh? K5 技術(shù)設(shè)計而成。L6201PSTR
L6201PSTR是一款用于電機控制應(yīng)用的全橋驅(qū)動器,采用 Multipower-BCD 技術(shù),在同一芯片上結(jié)合了隔離 DMOS 功率晶體管、CMOS 和雙極電路。通過使用混合技術(shù),可以優(yōu)化邏輯電路和功率級,從而實現(xiàn)最佳性能。DMOS 輸出晶體管可在高達 42V 的電源電壓下工作,并能以較高的開關(guān)…電話咨詢:86-755-83294757
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