深圳市明佳達(dá)電子電子有限公司全新原裝推出英飛凌MOSFET_IPB029N15NM6_OptiMOS? 6 功率 MOSFET,150 V 正常電平,采用 DPAK 3 引腳封裝。IPB029N15NM6器件概述IPB029N15NM6 是英飛凌(Infineon)推出的 OptiMOS? 6 系列中的一款高性能功率 MOSFET,額定電壓為 150 V。該…
深圳市明佳達(dá)電子電子有限公司全新原裝推出英飛凌MOSFET_IPB029N15NM6_OptiMOS? 6 功率 MOSFET,150 V 正常電平,采用 D2PAK 3 引腳封裝。
IPB029N15NM6器件概述
IPB029N15NM6 是英飛凌(Infineon)推出的 OptiMOS? 6 系列中的一款高性能功率 MOSFET,額定電壓為 150 V。該產(chǎn)品以其卓越的功率密度、低導(dǎo)通電阻和高開關(guān)效率,成為工業(yè)電源、電動(dòng)工具和汽車電子等領(lǐng)域的理想選擇。IPB029N15NM6 的設(shè)計(jì)旨在優(yōu)化能效,同時(shí)降低系統(tǒng)成本,滿足現(xiàn)代電力電子應(yīng)用的高性能需求。
IPB029N15NM6產(chǎn)品特點(diǎn)
低導(dǎo)通電阻:IPB029N15NM6 的導(dǎo)通電阻(RDS(on))極低,顯著減少了功率損耗,提升了整體能效。
高開關(guān)效率:通過優(yōu)化體二極管和開關(guān)特性,IPB029N15NM6 在高頻應(yīng)用中表現(xiàn)出色,降低了電磁干擾(EMI)和開關(guān)損耗。
優(yōu)異的功率密度:IPB029N15NM6 采用先進(jìn)的封裝技術(shù),實(shí)現(xiàn)了更高的功率密度,適用于空間受限的應(yīng)用場(chǎng)景。
寬安全工作區(qū):IPB029N15NM6 具有寬安全工作區(qū)(SOA),能夠在高電流和高電壓條件下穩(wěn)定運(yùn)行,適用于嚴(yán)苛的工業(yè)環(huán)境。
環(huán)保設(shè)計(jì):符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),不含鉛,滿足環(huán)保要求6。
IPB029N15NM6技術(shù)規(guī)格
額定電壓:150 V
導(dǎo)通電阻(RDS(on)):2.9 mΩ(典型值)
最大漏電流(ID):120 A
封裝類型:TO-263(D2PAK)
工作溫度范圍:-55°C 至 +175°C
符合標(biāo)準(zhǔn):RoHS、AEC-Q101(車規(guī)級(jí)認(rèn)證)
IPB029N15NM6應(yīng)用領(lǐng)域
IPB029N15NM6廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
工業(yè)電源:用于開關(guān)電源(SMPS)、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和逆變器,提升能效和可靠性。
電動(dòng)工具:支持高功率密度設(shè)計(jì),延長(zhǎng)電池壽命并提高工具性能。
汽車電子:適用于車載充電器、DC-DC 轉(zhuǎn)換器和電池管理系統(tǒng),滿足車規(guī)級(jí)要求。
可再生能源:用于太陽能逆變器和儲(chǔ)能系統(tǒng),優(yōu)化能源轉(zhuǎn)換效率。
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時(shí)間:2025-03-18
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